2026年04月03日
西交利物浦大学拟对智能工程学院刘雯、张平、顾江敏 在研期间所获一项专利技术进行 普通许可 ，现进行 许可前公示，公示信息如下：
专利名称：一种半导体器件及其制备方法
专利号：2024110959649
发明人：刘雯，张平，顾江敏
简介：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括衬底以及位于衬底同一侧的P沟道金属氧化物半导体结构以及N沟道金属氧化物半导体结构；P沟道金属氧化物半导体结构包括第一外延结构，N沟道金属氧化物半导体结构包括第二外延结构；第一外延结构包括第一沟道层，第二外延结构包括叠层设置的第二沟道层以及势垒层；第一沟道层包括Ga元素和N元素；衬底包括Al元素和N元素；衬底与第一沟道层形成空穴异质结结构，第二沟道层与所述势垒层形成电子异质结结构。采用上述技术手段，第一沟道层与衬底形成的空穴异质结结构浓度高，能够实现高性能的p沟道器件，提高互补金属氧化物半导体的性能。
拟许可价格：3.6万元人民币
拟被许可单位：昆山和广电子科技有限公司
定价方式：协议定价
公示期限：自 2026 年 4 月 3 日至 2026 年 4 月 17 日止
公示期内对公示内容有异议的，以书面形式向西交利物浦大学科研生产力与创新办公室提出，需写出具体、真实的情况，以实名提出异议。科研生产力与创新办公室自接到异议之日起10个工作日内重新调查核实。
联系人：李思贤
联系电话：0512-81888706
联系邮箱：Sixian.li@xjtlu.edu.cn
西交利物浦大学科研生产力与创新办公室
2026 年 4 月 3 日
西交利物浦大学拟对智能工程学院刘雯、张平、顾江敏 在研期间所获一项专利技术进行 普通许可 ，现进行 许可前公示，公示信息如下：
专利名称：一种半导体器件及其制备方法
专利号：2024110959649
发明人：刘雯，张平，顾江敏
简介：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括衬底以及位于衬底同一侧的P沟道金属氧化物半导体结构以及N沟道金属氧化物半导体结构；P沟道金属氧化物半导体结构包括第一外延结构，N沟道金属氧化物半导体结构包括第二外延结构；第一外延结构包括第一沟道层，第二外延结构包括叠层设置的第二沟道层以及势垒层；第一沟道层包括Ga元素和N元素；衬底包括Al元素和N元素；衬底与第一沟道层形成空穴异质结结构，第二沟道层与所述势垒层形成电子异质结结构。采用上述技术手段，第一沟道层与衬底形成的空穴异质结结构浓度高，能够实现高性能的p沟道器件，提高互补金属氧化物半导体的性能。
拟许可价格：3.6万元人民币
拟被许可单位：昆山和广电子科技有限公司
定价方式：协议定价
公示期限：自 2026 年 4 月 3 日至 2026 年 4 月 17 日止
公示期内对公示内容有异议的，以书面形式向西交利物浦大学科研生产力与创新办公室提出，需写出具体、真实的情况，以实名提出异议。科研生产力与创新办公室自接到异议之日起10个工作日内重新调查核实。
联系人：李思贤
联系电话：0512-81888706
联系邮箱：Sixian.li@xjtlu.edu.cn
西交利物浦大学科研生产力与创新办公室
2026 年 4 月 3 日