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- 时间：2026年5月21日15：30-17：00
- 地点：江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区仁爱路111号西交利物浦大学中校区EB楼-EB415
- 语言：中文
- 主办部门：西交利物浦大学先进半导体研究中心
报告嘉宾
叶建东 教授
南京大学教授、博导。2002年和2006年于南京大学取得学士和博士学位。2006年至2015年分别于新加坡微电子研究所任职Senior Research Engineer和澳大利亚国立大学QE II Fellow。2010年于南京大学电子科学与工程学院任职教授、博导。长期从事氧化镓超宽禁带半导体材料与器件研究。作为通讯作者近5年发表80余篇高水平论文，主/参编专著4本，授权发明专利14件。主持国家重点研发计划、基金委杰青/重点/优青、江苏省杰青、江苏省重大科技专项、江苏省重点研发计划等。第一完成人获江苏省科学技术二等奖和澳大利亚QE II研究奖等。
报告摘要
氧化镓（Ga₂O₃）是超宽禁带半导体材料的优异代表，具有禁带宽度大、临界击穿场强高、饱和速度高等优异的材料特性，是研制下一代大功率电子器件的先进战略性电子材料。近年来，得益于单晶衬底制备和n型外延掺杂技术的日益成熟，氧化镓在功率电子器件领域的发展十分迅速，器件部分性能指标已超越碳化硅的理论极限，充分展现出氧化镓巨大的发展潜力。报告将介绍南京大学团队在氧化镓超宽禁带半导体材料与器件方面的研究进展，同时展望超宽禁带半导体领域的关键挑战。
参会方式
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