西浦学者利用氢处理工艺简化氮化镓制备流程，助力功率半导体和集成电路产业发展
2023年07月21日
西交利物浦大学学者在最新氮化镓研究中取得突破，其成果近日被收录于国际顶级学术会议第35届功率半导体器件和集成电路国际会议(ISPSD)。该会议是功率半导体器件和集成电路领域最具国际影响力的顶级会议，这也是西交利物浦大学首次在该会议上发表论文。
氮化镓作为第三代半导体核心材料，具有更强的耐高压、耐高温和抗辐射能力。它不仅提高能源利用效率，满足了节能减排需求，还支持着下一代通信和新能源汽车等前沿领域的发展。
然而，氮化镓器件的稳定性仍有待改善。为了促进氮化镓器件尽早实现商业化并应用于更多实际场景，许多研究致力于提高其可靠性。
在此次论文中，西交利物浦大学的博士生李帆提出了一种新的方法，利用新型的氢处理工艺制备单片集成的氮化镓电路，简化了制备流程。
单片集成是一种集成方式，将多个电子元件和电路集成在同一个芯片上。与将电器元件分别组装在电路板上相比，单片集成方式更为可靠和稳定，减少了接触不良等问题的出现。
此外，使用氮化镓作为材料后，电路系统的工作频率将更高，体积和重量也将减小，且可应用于极端的温度环境，如宇宙探索等。
刘雯博士是论文的指导老师，她表示：“我们非常荣幸能够与苏州中科院纳米仿生技术研究所张宝顺、于国浩老师合作，通过氢处理工艺实现氮化镓的单片功率集成电路，未来我们也将共同挑战高门槛技术，探索氮化镓市场的新兴机遇。”
据了解，该研究是在博士生李帆、文章的第二作者博士生李昂及其他团队成员两年多的不懈努力下完成的。
此外，刘雯老师课题组已有五篇电路集成的相关论文被中科院SCI期刊IEEE Transactions on Power Electronics，IEEE Electron Device Letters和IEEE Transactions on Electron Devices收录。
（图片说明：左起为刘雯博士、博士生李昂、博士生李帆、项目成员本科生王昱博。）
西交利物浦大学智能工程学院积极践行研究和实践导向型教学，支持博士生参与国内外科研会议和论坛，并与全球知名学术机构以及领先的半导体企业的专业人士进行多方交流。
“我们致力于提高科研能力和积累实践经验，并期待更多博士生能够在高水平国际会议和期刊上发表科研成果。”刘雯博士表示。
（记者：金画恬 编辑： 寇博）
2023年07月21日
