先进半导体研究中心 演讲嘉宾
陈敬教授于1988年获北京大学学士学位并同年通过李政道教授主持的中美物理学人才联合培养CUSPEA项目赴美留学，1993年获美国马里兰大学博士学位。他曾于日本NTT LSI实验室和美国安捷伦科技公司从事高速化合物半导体器件技术的研究。陈教授于2000年加入香港科技大学(HKUST)，现任电子与计算机工程系讲座教授，并担任HKUST纳米系统制造中心(NFF)主任，同时还是IEEE会士。陈教授已在国际期刊和会议论文集发表论文600余篇，获得20余项专利，其研究方向包括面向高功率高频及极端环境应用的宽禁带半导体器件。
报告摘要
氮化镓(GaN)凭借其宽禁带和多样化的异质结结构，在电力电子和射频应用领域已获得广泛关注。凭借高临界电场、强极化效应等优异材料特性，结合低成本。可扩展的硅衬底及与硅工艺兼容的制造技术，化镓高电子迁移率品体管(HFMT)技术平台为从集成角度进一步拓展提供了巨大机遇。功率集成有望成为推动氮化镓技术迈向数据中心、电动汽车、可再生能源及智能电网等关键应用的主要驱动力。本报告将介绍氮化镓功率集成领域的最新进展。我们将探讨平面氮化镓功率器件的沟道优化设计，三维空间拓展，聚焦衬底技术，包括有效抑制GaN-on-Si平台中有害的背栅效应和串扰的技术。此外，氮化镓与碳化硅(Sic)的异质集成开辟了新途径可充分发挥这两种宽禁带半导体的互补优势，从而提升器件性能与可靠性。
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