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- 时间：2026年6月29日10：00-11：30
- 地点：江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区仁爱路111号西交利物浦大学南校区IBSS楼-BS4114
- 语言：中文
- 主办部门：西交利物浦大学先进半导体研究中心
报告嘉宾
任开琳 博士
任开琳，上海大学钱伟长学院副院长、微电子学院副教授、博士生导师，中国图像图形学会智能图像感知微系统专委会委员，2021年博士毕业于新加坡国立大学微电子学专业，并入选上海市海外高层次人才引进计划。研究方向围绕GaN功率器件、功率集成及光电集成，近五年在IEEE EDL、IEEE T-ED等微电子领域权威期刊上发表SCI论文三十余篇。
报告摘要
p-GaN栅增强型GaN功率器件凭借其高频和高功率密度优势，在数据中心服务器电源、电动汽车及光伏逆变器等领域具有广阔应用前景。针对其现存的器件模型精度、阈值电压稳定性、短路可靠性等问题，本报告介绍其改进型QPZD模型、高稳定性新器件结构设计、亚微秒级短路失效机理等方面的研究进展，最后介绍其光电单片集成新结构设计及潜在应用场景。
参会方式
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